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（c）在Ge衬底上对应的形貌图像，网规比例尺：100nm。图2.通过莫尔超晶格结构对电接触性能进行调控（a）包含两种疏密不同莫尔云纹的区域，划要化技其导电性展现出鲜明对比。

尽管目前在揭示界面电荷注入机制以及利用界面处理增强接触电导率方面取得了一些进展，优化但人们对于接触界面的微结构是如何影响局部电导率的认知仍然非常有限。【小结】该项工作使用石墨烯/Ge(111)异质结构作为示例体系，数字术首次证明了广泛存在的物理吸附2D界面的电荷注入行为是由界面电荷转移决定。通过高分辨实验电导率图像和第一性原理计算，可少他们证明了二维界面的电荷转移可以通过在2D材料中引入拓扑缺陷以及控制它们相对于基底的晶体堆垛方式来进行精确的调控。

配电（d）石墨烯在形成莫尔超晶格的Ge(111)衬底（未示出）上的形态。（d）从左到右分别为在4mV，网规6mV和8mV的偏压下，相同的晶界（GB）周围获得的电流图像，比例尺：10nm。

划要化技（e）在畴壁和畴处的透射本征态在石墨烯和Ge(111)衬底之间的分布。

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